Name: RRF015P03GTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RRF015P03GTLTR-ND
Price: 0.5978 EUR
Availability: OutOfStock

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RRF015P03GTL
Codice DigiKey	RRF015P03GTLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RRF015P03GTLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RRF015P03GTLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RRF015P03GTL
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 1,5 A (Ta) 320mW (Ta) A montaggio superficiale TUMT3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RRF015P03GTL Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	160mohm a 1,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	6.4 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	230 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	320mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TUMT3
Contenitore/involucro	3-SMD, conduttori piatti
Codice componente base	RRF015

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Nastrato in bobina (TR)