Name: RQ6E055BNTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ6E055BNTCRTR-ND
Price: 1.1346 EUR
Availability: OutOfStock

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RQ6E055BNTCR
Codice DigiKey	RQ6E055BNTCRTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RQ6E055BNTCRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RQ6E055BNTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RQ6E055BNTCR
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 5,5 A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RQ6E055BNTCR Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8.6 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 355 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1,25W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,5 A (Ta)	Contenitore del fornitore Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
RDSon (max) a Id, Vgs 25mohm a 5,5A, 10V	Codice componente base RQ6E055

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FDC855N	onsemi	0	FDC855NCT-ND	€ 0,00000	Simile

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Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,13460

RQ6E055BNTCR