Name: RQ3P300BHTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3P300BHTB1TR-ND
Price: 3.3062 EUR
Availability: InStock

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RQ3P300BHTB1
Codice DigiKey	846-RQ3P300BHTB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RQ3P300BHTB1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RQ3P300BHTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RQ3P300BHTB1
Descrizione	NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 39 A (Tc) 32W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	39 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	15,5mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	36 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2040 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	32W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-HSMT (3,2x3)
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Codice componente base	RQ3P300