Name: RQ3P270BKFRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3P270BKFRATCBTR-ND
Price: 2.2448 EUR
Availability: InStock

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RQ3P270BKFRATCB
Codice DigiKey	846-RQ3P270BKFRATCBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RQ3P270BKFRATCBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RQ3P270BKFRATCBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RQ3P270BKFRATCB
Descrizione	NCH 100V 27A, HSMT8AG, POWER MOS
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 27 A (Tc) 69W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 13.6 nC @ 10 V
Produttore Rohm Semiconductor	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 670 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 69W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 27 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore 8-HSMT (3,2x3)
RDSon (max) a Id, Vgs 27mohm a 27A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Vgs(th) max a Id 2,5V a 1,6mA