Canale N 40 V 39 A (Tc) 20W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3)
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Canale N 40 V 39 A (Tc) 20W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3)
8 HSMT

RQ3G150GNTB

Codice DigiKey
RQ3G150GNTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
RQ3G150GNTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
RQ3G150GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RQ3G150GNTB
Descrizione
MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 39 A (Tc) 20W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
RQ3G150GNTB Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
39 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
7,2mohm a 15A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
11.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1450 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
20W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-HSMT (3,2x3)
Contenitore/involucro
8-PowerVDFN
Codice componente base
RQ3G150
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,59000€ 1,59
10€ 1,00800€ 10,08
100€ 0,67780€ 67,78
500€ 0,53626€ 268,13
1 000€ 0,49071€ 490,71
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,40270€ 1 208,10
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,59000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,93980
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