Canale N 30 V 16 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3)
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Canale N 30 V 16 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3)
8 HSMT

RQ3E160ADTB

Codice DigiKey
RQ3E160ADTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
RQ3E160ADTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
RQ3E160ADTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RQ3E160ADTB
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 16 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
RQ3E160ADTB Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
16 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
4,5mohm a 16A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2550 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-HSMT (3,2x3)
Contenitore/involucro
8-PowerVDFN
Codice componente base
RQ3E160
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In magazzino: 17 829
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 0,99000€ 0,99
10€ 0,62000€ 6,20
100€ 0,40720€ 40,72
500€ 0,31566€ 157,83
1 000€ 0,28619€ 286,19
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,24873€ 746,19
6 000€ 0,22988€ 1 379,28
9 000€ 0,22027€ 1 982,43
15 000€ 0,20977€ 3 146,55
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,99000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,20780