


RQ3E120ATTB | |
|---|---|
Codice DigiKey | RQ3E120ATTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RQ3E120ATTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RQ3E120ATTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | RQ3E120ATTB |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT |
Tempi di consegna standard del produttore | 12 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 12 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | RQ3E120ATTB Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 8mohm a 12A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 62 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 3200 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-HSMT (3,2x3) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,98000 | € 0,98 |
| 10 | € 0,61700 | € 6,17 |
| 100 | € 0,40520 | € 40,52 |
| 500 | € 0,31410 | € 157,05 |
| 1 000 | € 0,28476 | € 284,76 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,24749 | € 742,47 |
| 6 000 | € 0,22873 | € 1 372,38 |
| 9 000 | € 0,21917 | € 1 972,53 |
| 15 000 | € 0,20872 | € 3 130,80 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,98000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,19560 |











