



RQ3E100GNTB | |
|---|---|
Codice DigiKey | RQ3E100GNTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RQ3E100GNTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RQ3E100GNTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | RQ3E100GNTB |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 10 A (Ta) 2W (Ta), 15W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | RQ3E100GNTB Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 11,7mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 7.9 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 420 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 15W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-HSMT (3,2x3) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,60000 | € 0,60 |
| 10 | € 0,37200 | € 3,72 |
| 100 | € 0,23880 | € 23,88 |
| 500 | € 0,18140 | € 90,70 |
| 1 000 | € 0,16289 | € 162,89 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,13934 | € 418,02 |
| 6 000 | € 0,12748 | € 764,88 |
| 9 000 | € 0,12143 | € 1 092,87 |
| 15 000 | € 0,11464 | € 1 719,60 |
| 21 000 | € 0,11062 | € 2 323,02 |
| 30 000 | € 0,10671 | € 3 201,30 |
| 75 000 | € 0,10435 | € 7 826,25 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,60000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,73200 |

