



RQ3E100BNTB | |
|---|---|
Codice DigiKey | RQ3E100BNTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RQ3E100BNTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RQ3E100BNTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | RQ3E100BNTB |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 10 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | RQ3E100BNTB Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 10,4mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 22 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1100 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-HSMT (3,2x3) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,57000 | € 0,57 |
| 10 | € 0,35600 | € 3,56 |
| 100 | € 0,22830 | € 22,83 |
| 500 | € 0,17316 | € 86,58 |
| 1 000 | € 0,15538 | € 155,38 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,13276 | € 398,28 |
| 6 000 | € 0,12137 | € 728,22 |
| 9 000 | € 0,11556 | € 1 040,04 |
| 15 000 | € 0,10903 | € 1 635,45 |
| 21 000 | € 0,10517 | € 2 208,57 |
| 30 000 | € 0,10141 | € 3 042,30 |
| 75 000 | € 0,09847 | € 7 385,25 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,57000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,69540 |

