Canale P 30 V 10A (Ta), 31A (Tc) 2W (Ta) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3)
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Canale P 30 V 10A (Ta), 31A (Tc) 2W (Ta) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3)
8 HSMT

RQ3E100ATTB

Codice DigiKey
RQ3E100ATTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
RQ3E100ATTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
RQ3E100ATTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RQ3E100ATTB
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 30 V 10A (Ta), 31A (Tc) 2W (Ta) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
10A (Ta), 31A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
11,4mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1900 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-HSMT (3,2x3)
Contenitore/involucro
8-PowerVDFN
Codice componente base
RQ3E100
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In magazzino: 6 447
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,19000€ 1,19
10€ 0,75000€ 7,50
100€ 0,49680€ 49,68
500€ 0,38816€ 194,08
1 000€ 0,35319€ 353,19
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,30878€ 926,34
6 000€ 0,28643€ 1 718,58
9 000€ 0,27504€ 2 475,36
15 000€ 0,27109€ 4 066,35
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,19000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,45180