Name: RQ3C150BCTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3C150BCTBTR-ND
Price: 1.8178 EUR
Availability: InStock

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RQ3C150BCTB
Codice DigiKey	RQ3C150BCTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RQ3C150BCTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RQ3C150BCTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RQ3C150BCTB
Descrizione	MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 30 A (Tc) 20W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RQ3C150BCTB Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	30 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	6,7mohm a 15A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,2V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	60 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4800 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	20W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-HSMT (3,2x3)
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Codice componente base	RQ3C150