Canale N 30 V 7,5 A (Ta) 1,1W (Ta) A montaggio superficiale TSMT8
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Canale N 30 V 7,5 A (Ta) 1,1W (Ta) A montaggio superficiale TSMT8
846~TSMT8~~8

RQ1E075XNTCR

Codice DigiKey
RQ1E075XNTCRTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
RQ1E075XNTCRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
RQ1E075XNTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RQ1E075XNTCR
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 7.5A TSMT8
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 7,5 A (Ta) 1,1W (Ta) A montaggio superficiale TSMT8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
7,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
17mohm a 7,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
6.8 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
440 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1,1W (Ta)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TSMT8
Contenitore/involucro
8-SMD, conduttori piatti
Codice componente base
RQ1E075
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,06000€ 1,06
10€ 0,66400€ 6,64
100€ 0,43760€ 43,76
500€ 0,34018€ 170,09
1 000€ 0,30881€ 308,81
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,26896€ 806,88
6 000€ 0,24891€ 1 493,46
9 000€ 0,23869€ 2 148,21
15 000€ 0,23021€ 3 453,15
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,06000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,29320