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MCH6351-TL-W
onsemi
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Canale P 12 V 9 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale MPT6
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RP1A090ZPTR

Codice DigiKey
RP1A090ZPTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RP1A090ZPTR
Descrizione
MOSFET P-CH 12V 9A MPT6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 12 V 9 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale MPT6
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
12 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
9 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
1,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs
12mohm a 9A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
59 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
7400 pF @ 6 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
MPT6
Contenitore/involucro
6-SMD, conduttori piatti
Codice componente base
RP1A090
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