Name: RJP020N06T100
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RJP020N06T100TR-ND
Price: 1.586 EUR
Availability: InStock

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RJP020N06T100
Codice DigiKey	RJP020N06T100TR-ND - Nastrato in bobina (TR) RJP020N06T100CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RJP020N06T100DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RJP020N06T100
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 2 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale MPT3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RJP020N06T100 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 10 nC @ 4 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±12V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 160 pF @ 10 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2 A (Ta)	Contenitore del fornitore MPT3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Contenitore/involucro TO-243AA
RDSon (max) a Id, Vgs 240mohm a 2A, 4,5V	Codice componente base RJP020

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,30000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,58600

RJP020N06T100