Canale N 60 V 80 A (Tc) 96W (Tc) A montaggio superficiale LPTL
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RJ1L08CGNTLL

Codice DigiKey
RJ1L08CGNTLLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
RJ1L08CGNTLLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
RJ1L08CGNTLLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RJ1L08CGNTLL
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 80A LPTL
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 80 A (Tc) 96W (Tc) A montaggio superficiale LPTL
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
80 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
7,7mohm a 80A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 50µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2600 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
96W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
LPTL
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
RJ1L08
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,84000€ 2,84
10€ 1,84900€ 18,49
100€ 1,28440€ 128,44
500€ 1,04348€ 521,74
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 0,96606€ 966,06
2 000€ 0,90098€ 1 801,96
3 000€ 0,89718€ 2 691,54
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,84000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 3,46480