Name: RH7L04CBJFRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RH7L04CBJFRATCBTR-ND
Price: 2.1838 EUR
Availability: InStock

Novità in DigiKey

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

RH7L04CBJFRATCB
Codice DigiKey	846-RH7L04CBJFRATCBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RH7L04CBJFRATCBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RH7L04CBJFRATCBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RH7L04CBJFRATCB
Descrizione	PCH -60V -36A, DFN3333T8LSAB, PO
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 36 A (Tc) 62W (Tc) A montaggio superficiale DFN3333T8LSAB
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 35 nC @ 10 V
Produttore Rohm Semiconductor	Vgs (max) +5V, -20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1850 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 62W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 36 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore DFN3333T8LSAB
RDSon (max) a Id, Vgs 41mohm a 20A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Vgs(th) max a Id 2,5V a 400µA