RQ3E120ATTB
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RQ3E120ATTB
8 HSMT

RH6R025BHTB1

Codice DigiKey
846-RH6R025BHTB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
846-RH6R025BHTB1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
846-RH6R025BHTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RH6R025BHTB1
Descrizione
NCH 150V 25A, HSMT8, POWER MOSFE
Tempi di consegna standard del produttore
21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 150 V 25 A (Tc) 59W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
150 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
25 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
60mohm a 25A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
16.7 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1010 pF @ 75 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
59W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-HSMT (3,2x3)
Contenitore/involucro
8-PowerVDFN
Codice componente base
RH6R025
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In magazzino: 2 530
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,26000€ 2,26
10€ 1,46100€ 14,61
100€ 1,00200€ 100,20
500€ 0,80610€ 403,05
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,66234€ 1 987,02
6 000€ 0,65857€ 3 951,42
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,26000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,75720