Name: RGT30NS65DGTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RGT30NS65DGTLTR-ND
Price: 3.355 EUR
Availability: InStock

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RGT30NS65DGTL
Codice DigiKey	RGT30NS65DGTLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RGT30NS65DGTLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RGT30NS65DGTLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RGT30NS65DGTL
Descrizione	IGBT TRENCH FS 650V 30A LPDS
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT Trench Field Stop 650 V 30 A 133 W A montaggio superficiale LPDS
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RGT30NS65DGTL Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT IGBT singoli	Tipo di ingresso Standard
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate 32 nC
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Td (on/off) a 25°C 18ns/64ns
Stato componente Attivo	Condizione di test 400V, 15A, 10ohm, 15V
Tipo di IGBT Trench Field Stop	Tempo di recupero inverso (Trr) 55 ns
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 650 V	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Collettore (Ic) max 30 A	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Pulsata collettore (Icm) 45 A	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Vce(on) max a Vge, Ic 2,1V a 15V, 15A	Contenitore del fornitore LPDS
Potenza - Max 133 W	Codice componente base RGT30

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,75000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,35500

RGT30NS65DGTL