Name: RF7G120BKFRATCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RF7G120BKFRATCRTR-ND
Price: 1.7324 EUR
Availability: OutOfStock

Novità in DigiKey

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RF7G120BKFRATCR
Codice DigiKey	846-RF7G120BKFRATCRTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RF7G120BKFRATCRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RF7G120BKFRATCRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RF7G120BKFRATCR
Descrizione	NCH 40V 12A, DFN2020Y8LSAA, POWE
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 12 A (Tc) 23W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili DFN2020Y8LSAA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8.5 nC @ 10 V
Produttore Rohm Semiconductor	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 470 pF @ 20 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 23W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 12 A (Tc)	Tipo di montaggio Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore DFN2020Y8LSAA
RDSon (max) a Id, Vgs 18,5mohm a 3A, 10V	Contenitore/involucro 6-PowerUDFN
Vgs(th) max a Id 2,5V a 431µA