Name: RF4E080GNTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RF4E080GNTRTR-ND
Price: 0.8052 EUR
Availability: InStock

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RF4E080GNTR
Codice DigiKey	RF4E080GNTRTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RF4E080GNTRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RF4E080GNTRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RF4E080GNTR
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 8 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale HUML2020L8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RF4E080GNTR Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 5.8 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 295 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8 A (Ta)	Contenitore del fornitore HUML2020L8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerUDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 17,6mohm a 8A, 10V	Codice componente base RF4E080

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,66000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,80520

RF4E080GNTR