Name: RF4C100BCTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RF4C100BCTCRTR-ND
Price: 1.3664 EUR
Availability: InStock

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RF4C100BCTCR
Codice DigiKey	RF4C100BCTCRTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RF4C100BCTCRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RF4C100BCTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RF4C100BCTCR
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 10 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale HUML2020L8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RF4C100BCTCR Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,2V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 23.5 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1660 pF @ 10 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10 A (Ta)	Contenitore del fornitore HUML2020L8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Contenitore/involucro 8-PowerUDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 15,6mohm a 10A, 4,5V	Codice componente base RF4C100

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
PMPB19XP,115	Nexperia USA Inc.	6	1727-PMPB19XP,115CT-ND	€ 0,59000	Simile

In magazzino: 668

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,12000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,36640

RF4C100BCTCR