Canale N 250 V 8 A (Tc) 85W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
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Canale N 250 V 8 A (Tc) 85W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
TO-252

RD3U080CNTL1

Codice DigiKey
RD3U080CNTL1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
RD3U080CNTL1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
RD3U080CNTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RD3U080CNTL1
Descrizione
MOSFET N-CH 250V 8A TO252
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 250 V 8 A (Tc) 85W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
RD3U080CNTL1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
250 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
8 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
300mohm a 4A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1440 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
85W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
RD3U080
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In magazzino: 15 011
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,45000€ 2,45
10€ 1,57800€ 15,78
100€ 1,08400€ 108,40
500€ 0,87252€ 436,26
1 000€ 0,82052€ 820,52
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,73098€ 1 827,45
5 000€ 0,68556€ 3 427,80
7 500€ 0,67036€ 5 027,70
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,45000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,98900