


RD3S100CNTL1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | RD3S100CNTL1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) RD3S100CNTL1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RD3S100CNTL1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | RD3S100CNTL1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 190V 10A TO252 |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 190 V 10 A (Tc) 85W (Tc) A montaggio superficiale TO-252 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | RD3S100CNTL1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 190 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 182mohm a 5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 52 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2000 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 85W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-252 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,75000 | € 2,75 |
| 10 | € 1,77700 | € 17,77 |
| 100 | € 1,22730 | € 122,73 |
| 500 | € 0,99242 | € 496,21 |
| 1 000 | € 0,95462 | € 954,62 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,83529 | € 2 088,22 |
| 5 000 | € 0,78486 | € 3 924,30 |
| 7 500 | € 0,77992 | € 5 849,40 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,75000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 3,35500 |

