Canale N 100 V 10 A (Ta) 20W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
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Canale N 100 V 10 A (Ta) 20W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
TO-252

RD3P100SNTL1

Codice DigiKey
RD3P100SNTL1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
RD3P100SNTL1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
RD3P100SNTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RD3P100SNTL1
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 10A TO252
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 10 A (Ta) 20W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
RD3P100SNTL1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
10 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
133mohm a 5A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
700 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
20W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
RD3P100
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In magazzino: 13 499
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,69000€ 1,69
10€ 1,07600€ 10,76
100€ 0,72590€ 72,59
500€ 0,57602€ 288,01
1 000€ 0,53814€ 538,14
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,47560€ 1 189,00
5 000€ 0,44337€ 2 216,85
7 500€ 0,43966€ 3 297,45
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,69000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,06180