Name: RD3P02BATTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3P02BATTL1TR-ND
Price: 2.3668 EUR
Availability: InStock

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RD3P02BATTL1
Codice DigiKey	846-RD3P02BATTL1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RD3P02BATTL1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RD3P02BATTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RD3P02BATTL1
Descrizione	PCH -100V -20A POWER MOSFET: RD3
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 100 V 20 A (Tc) 56W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 39 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1480 pF @ 50 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 56W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-252
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 116mohm a 10A, 10V	Codice componente base RD3P02