Canale N 45 V 20 A (Ta) 20W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
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Canale N 45 V 20 A (Ta) 20W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
TO-252

RD3H200SNTL1

Codice DigiKey
RD3H200SNTL1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
RD3H200SNTL1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
RD3H200SNTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RD3H200SNTL1
Descrizione
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 45 V 20 A (Ta) 20W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
RD3H200SNTL1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
45 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
20 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
28mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
950 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
20W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
RD3H200
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In magazzino: 400
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,81000€ 1,81
10€ 1,15700€ 11,57
100€ 0,78310€ 78,31
500€ 0,62336€ 311,68
1 000€ 0,59227€ 592,27
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,48864€ 1 221,60
5 000€ 0,45572€ 2 278,60
7 500€ 0,45375€ 3 403,12
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,81000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,20820