Canale N 800 V 9 A (Ta) 59W (Tc) Foro passante TO-220FM
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R8009KNXC7G

Codice DigiKey
846-R8009KNXC7GTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
846-R8009KNXC7GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
R8009KNXC7G
Descrizione
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Tempi di consegna standard del produttore
25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 800 V 9 A (Ta) 59W (Tc) Foro passante TO-220FM
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
9 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
600mohm a 4,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
4,5V a 5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
900 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
59W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-220FM
Contenitore/involucro
TO-220-3 Full Pack
Codice componente base
R8009
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 4,39000€ 4,39
10€ 2,91600€ 29,16
100€ 2,07980€ 207,98
500€ 1,97822€ 989,11
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 1,61620€ 1 616,20
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 4,39000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 5,35580