Canale N 800 V 6 A (Ta) 52W (Tc) Foro passante TO-220FM
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R8006KNXC7G

Codice DigiKey
846-R8006KNXC7GTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
846-R8006KNXC7GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
R8006KNXC7G
Descrizione
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 800 V 6 A (Ta) 52W (Tc) Foro passante TO-220FM
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
6 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
900mohm a 3A, 10V
Vgs(th) max a Id
4,5V a 4mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
650 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
52W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-220FM
Contenitore/involucro
TO-220-3 Full Pack
Codice componente base
R8006
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 3,98000€ 3,98
10€ 2,61800€ 26,18
100€ 1,84850€ 184,85
500€ 1,58006€ 790,03
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 1,32220€ 1 322,20
2 000€ 1,29090€ 2 581,80
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 3,98000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 4,85560