Name: R8002KND3TL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-R8002KND3TL1TR-ND
Price: 2.3546 EUR
Availability: InStock

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R8002KND3TL1
Codice DigiKey	846-R8002KND3TL1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-R8002KND3TL1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-R8002KND3TL1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	R8002KND3TL1
Descrizione	HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 1,6 A (Ta) 30W (Tc) A montaggio superficiale TO-252GE
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 150µA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 7.5 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 140 pF @ 100 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 30W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,6 A (Ta)	Contenitore del fornitore TO-252GE
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 4,2ohm a 800mA, 10V	Codice componente base R8002

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 500	€ 0,59501	€ 1 487,53

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,93000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,35460

R8002KND3TL1