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R6020KNZ1C9 | |
|---|---|
Codice DigiKey | R6020KNZ1C9-ND |
Produttore | |
Codice produttore | R6020KNZ1C9 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 20 A (Tc) 231W (Tc) Foro passante TO-247 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | R6020KNZ1C9 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 5V a 1mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 40 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Obsoleto | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1550 pF @ 25 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 231W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-247 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 196mohm a 9,5A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| R6020KNZ4C13 | Rohm Semiconductor | 402 | 846-R6020KNZ4C13-ND | € 7,28000 | Diretto |
| R6020KNZC17 | Rohm Semiconductor | 17 | 846-R6020KNZC17-ND | € 5,55000 | Simile |
| FCH190N65F-F155 | onsemi | 381 | FCH190N65F-F155-ND | € 6,35000 | Diretto |
| IPW60R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | 1 419 | IPW60R190C6FKSA1-ND | € 4,10000 | Simile |
| IXFH36N60P | IXYS | 560 | IXFH36N60P-ND | € 13,54000 | Simile |












