R6020ENZ1C9 è obsoleto e non è più in produzione.
Sostituti disponibili:

Diretto


Rohm Semiconductor
In magazzino: 550
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In magazzino: 296
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In magazzino: 227
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In magazzino: 560
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IXYS
In magazzino: 0
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IXYS
In magazzino: 0
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IXYS
In magazzino: 0
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In magazzino: 439
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In magazzino: 5 412
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In magazzino: 122
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Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino: 13
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Scheda tecnica
Canale N 600 V 20 A (Tc) 120W (Tc) Foro passante TO-247
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R6020ENZ1C9

Codice DigiKey
R6020ENZ1C9-ND
Produttore
Codice produttore
R6020ENZ1C9
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 20 A (Tc) 120W (Tc) Foro passante TO-247
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
R6020ENZ1C9 Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
4V a 1mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
60 nC @ 10 V
Confezionamento
Tubo
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Obsoleto
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1400 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
120W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Tipo di montaggio
Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-247
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
196mohm a 9,5A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (12)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
R6020ENZ4C13Rohm Semiconductor550846-R6020ENZ4C13-ND€ 5,52000Diretto
R6020ENZC17Rohm Semiconductor296846-R6020ENZC17-ND€ 5,80000Simile
APT34M60BMicrochip Technology0APT34M60B-ND€ 9,75680Simile
IPW65R190C7XKSA1Infineon Technologies227IPW65R190C7XKSA1-ND€ 3,96000Simile
IXFH36N60PIXYS560IXFH36N60P-ND€ 13,54000Simile
Obsoleto
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