Canale N 600 V 18 A (Tc) 220W (Tc) A montaggio superficiale LPTS
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Canale N 600 V 18 A (Tc) 220W (Tc) A montaggio superficiale LPTS
4th Gen Super Junction MOSFETs R60xxYNx
Presto MOS R600xVNx Series

R6018JNJGTL

Codice DigiKey
R6018JNJGTLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
R6018JNJGTLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
R6018JNJGTLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
R6018JNJGTL
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 18 A (Tc) 220W (Tc) A montaggio superficiale LPTS
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
18 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
15V
RDSon (max) a Id, Vgs
286 mohm a 9A, 15V
Vgs(th) max a Id
7V a 4,2mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
42 nC @ 15 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1300 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
220W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
LPTS
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
R6018
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 4,76000€ 4,76
10€ 3,16400€ 31,64
100€ 2,25890€ 225,89
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 1,64697€ 1 646,97
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 4,76000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 5,80720