Canale N 600 V 13 A (Tc) 131W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
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Canale N 600 V 13 A (Tc) 131W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
TO-252
4th Gen Super Junction MOSFETs R60xxYNx

R6013VND3TL1

Codice DigiKey
846-R6013VND3TL1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
846-R6013VND3TL1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
846-R6013VND3TL1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
R6013VND3TL1
Descrizione
600V 13A TO-252, PRESTOMOS WITH
Tempi di consegna standard del produttore
23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 13 A (Tc) 131W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
13 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V, 15V
RDSon (max) a Id, Vgs
300mohm a 3A, 15V
Vgs(th) max a Id
6,5V a 500µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
900 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
131W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
R6013VN
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,17000€ 2,17
10€ 1,61200€ 16,12
25€ 1,47320€ 36,83
100€ 1,32090€ 132,09
250€ 1,24820€ 312,05
500€ 1,20438€ 602,19
1 000€ 1,16828€ 1 168,28
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 1,13020€ 2 825,50
5 000€ 1,10724€ 5 536,20
7 500€ 1,09574€ 8 218,05
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,17000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,64740