R6012FNX è disponibile per l'acquisto ma non è generalmente a magazzino.
Sostituti disponibili:

Simile

R6012JNXC7G
Rohm Semiconductor
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 4,06000
Scheda tecnica

Simile

IPA80R450P7XKSA1
Infineon Technologies
In magazzino: 106
Prezzo unitario : € 2,22000
Scheda tecnica

Simile

STF11N60M2-EP
STMicroelectronics
In magazzino: 978
Prezzo unitario : € 1,91000
Scheda tecnica

Simile

STF12N65M5
STMicroelectronics
In magazzino: 52
Prezzo unitario : € 3,25000
Scheda tecnica

Simile

STF13N60M2
STMicroelectronics
In magazzino: 1 268
Prezzo unitario : € 1,83000
Scheda tecnica

Simile

STP14NK60ZFP
STMicroelectronics
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 4,41000
Scheda tecnica

Simile

FCPF11N60F
onsemi
In magazzino: 948
Prezzo unitario : € 4,03000
Scheda tecnica

Simile

FCPF7N60
onsemi
In magazzino: 355
Prezzo unitario : € 1,32000
Scheda tecnica

Simile

SIHF7N60E-E3
Vishay Siliconix
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 2,69000
Scheda tecnica

Simile

SPA07N60C3XKSA1
Infineon Technologies
In magazzino: 146
Prezzo unitario : € 2,44000
Scheda tecnica

Simile

STF10N60M2
STMicroelectronics
In magazzino: 723
Prezzo unitario : € 1,60000
Scheda tecnica

Simile

STF10NM60N
STMicroelectronics
In magazzino: 353
Prezzo unitario : € 3,59000
Scheda tecnica

Simile

STF10NM60ND
STMicroelectronics
In magazzino: 378
Prezzo unitario : € 2,27000
Scheda tecnica

Simile

STF11N65M5
STMicroelectronics
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,78210
Scheda tecnica
Visualizza e confronta tutti i componenti sostitutivi
TO-220-3
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

R6012FNX

Codice DigiKey
R6012FNX-ND
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
R6012FNX
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 12 A (Tc) 50W (Tc) Foro passante TO-220FM
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
R6012FNX Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Sfuso
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
12 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
510mohm a 6A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1300 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
50W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-220FM
Contenitore/involucro
TO-220-3 Full Pack
Codice componente base
R6012
Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

Disponibile su ordinazione
Questo prodotto non è disponibile in magazzino presso DigiKey. I tempi di consegna indicati riguarderanno la spedizione dal produttore a DigiKey. Una volta ricevuto il prodotto, DigiKey provvederà alla spedizione al cliente per evadere gli ordini aperti.
Non consigliato per un nuovo progetto; possibilmente soggetto a quantità minima. Visualizza Articoli sostitutivi.
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Sfuso
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
500€ 2,16962€ 1 084,81
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,16962
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,64694