Name: R6009RND3TL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-R6009RND3TL1TR-ND
Price: 1.586 EUR
Availability: InStock

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R6009RND3TL1
Codice DigiKey	846-R6009RND3TL1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-R6009RND3TL1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-R6009RND3TL1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	R6009RND3TL1
Descrizione	600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 9 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	9 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	15V
RDSon (max) a Id, Vgs	665mohm a 4,5A, 15V
Vgs(th) max a Id	7V a 5,5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	22 nC @ 15 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	640 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	125W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	R6009

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