Canale N 600 V 9 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
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Canale N 600 V 9 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
TO-252
4th Gen Super Junction MOSFETs R60xxYNx

R6009JND3TL1

Codice DigiKey
R6009JND3TL1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
R6009JND3TL1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
R6009JND3TL1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
R6009JND3TL1
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 9 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
15V
RDSon (max) a Id, Vgs
585 mohm a 4,5A, 15V
Vgs(th) max a Id
7V a 1,38mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
22 nC @ 15 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
645 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,80000€ 2,80
10€ 1,82700€ 18,27
100€ 1,26970€ 126,97
500€ 1,03154€ 515,77
1 000€ 0,95502€ 955,02
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,88708€ 2 217,70
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,80000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 3,41600