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Canale N 600 V 9 A (Tc) 40W (Tc) A montaggio superficiale LPTS
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R6009ENJTL

Codice DigiKey
R6009ENJTLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
R6009ENJTLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
R6009ENJTLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
R6009ENJTL
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 9 A (Tc) 40W (Tc) A montaggio superficiale LPTS
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
R6009ENJTL Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
9 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
535mohm a 2,8A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
430 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
40W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
LPTS
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
R6009
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 1,08534€ 1 085,34
2 000€ 1,02734€ 2 054,68
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,08534
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,32411