R6006ANDTL è disponibile per l'acquisto ma non è generalmente a magazzino.
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Canale N 600 V 6 A (Tc) 40W (Tc) A montaggio superficiale CPT3
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R6006ANDTL

Codice DigiKey
846-R6006ANDTLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
R6006ANDTL
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 6A CPT
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 6 A (Tc) 40W (Tc) A montaggio superficiale CPT3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
R6006ANDTL Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
4,5V a 1mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
15 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±30V
Stato componente
Data di acquisto finale
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
460 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
40W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
CPT3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
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1,2ohm a 3A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (13)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
R6007END3TL1Rohm Semiconductor1 011846-R6007END3TL1CT-ND€ 2,64000Consigliato dal produttore
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Data ultima possibilità d'acquisto
Data ultima possibilità d'acquisto: 31.03.2027
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,89097€ 2 227,43
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,89097
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,08698