Canale N 600 V 4 A (Tc) 58W (Tc) A montaggio superficiale LPTS
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Canale N 600 V 4 A (Tc) 58W (Tc) A montaggio superficiale LPTS
4th Gen Super Junction MOSFETs R60xxYNx
Presto MOS R600xVNx Series

R6004KNJTL

Codice DigiKey
846-R6004KNJTLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
R6004KNJTL
Descrizione
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 4 A (Tc) 58W (Tc) A montaggio superficiale LPTS
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
R6004KNJTL Modelli
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
5V a 1mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
10.2 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
280 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
58W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
LPTS
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
980mohm a 1,5A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 0,91881€ 918,81
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,91881
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,12095