Name: HT8KE6TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-HT8KE6TB1TR-ND
Price: 2.379 EUR
Availability: InStock

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HT8KE6TB1
Codice DigiKey	846-HT8KE6TB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-HT8KE6TB1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-HT8KE6TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	HT8KE6TB1
Descrizione	MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 100V 4,5A (Ta), 13A (Tc) 2W (Ta), 14W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6,7nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 305pF a 50V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 2W (Ta), 14W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,5A (Ta), 13A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-HSMT (3,2x3)
RDSon (max) a Id, Vgs 57mohm a 4,5A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,95000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,37900

HT8KE6TB1