
HT8KC5TB1 | |
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Codice DigiKey | 846-HT8KC5TB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-HT8KC5TB1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-HT8KC5TB1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | HT8KC5TB1 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8HSMT |
Tempi di consegna standard del produttore | 21 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 3,5A (Ta), 10A (Tc) 2W (Ta), 13W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Rohm Semiconductor | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 60V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 3,5A (Ta), 10A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 90mohm a 3,5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 3,1nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 135pF a 30V | |
Potenza - Max | 2W (Ta), 13W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-PowerVDFN | |
Contenitore del fornitore | 8-HSMT (3,2x3) |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,35000 | € 1,35 |
| 10 | € 0,85400 | € 8,54 |
| 100 | € 0,56980 | € 56,98 |
| 500 | € 0,44758 | € 223,79 |
| 1 000 | € 0,40826 | € 408,26 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,35833 | € 1 074,99 |
| 6 000 | € 0,33321 | € 1 999,26 |
| 9 000 | € 0,32281 | € 2 905,29 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,35000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,64700 |







