Name: HS8K1TB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: HS8K1TBTR-ND
Price: 1.4152 EUR
Availability: InStock

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HS8K1TB
Codice DigiKey	HS8K1TBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) HS8K1TBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) HS8K1TBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	HS8K1TB
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 10A HSML3030L10
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 10A (Ta), 11A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale HSML3030L10
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6nC a 10V, 7,4nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 348pF a 15V, 429pF a 15V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 2W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore/involucro 8-UDFN piazzola esposta
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10A (Ta), 11A (Ta)	Contenitore del fornitore HSML3030L10
RDSon (max) a Id, Vgs 14,6mohm a 10A, 10V, 11,8mohm a 11A, 10V	Codice componente base HS8K1

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)