MOSFET - Array 30V 7 A, 11 A 2W A montaggio superficiale HSML3030L10
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MOSFET - Array 30V 7 A, 11 A 2W A montaggio superficiale HSML3030L10
ROHM MOSFETs for DC-DC Converter & Load Switch Applications | Digi-Key Daily

HS8K11TB

Codice DigiKey
HS8K11TBTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
HS8K11TBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
HS8K11TBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
HS8K11TB
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 7 A, 11 A 2W A montaggio superficiale HSML3030L10
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
HS8K11TB Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
7 A, 11 A
RDSon (max) a Id, Vgs
17,9mohm a 7A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
11,1nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
500pF a 15V
Potenza - Max
2W
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-UDFN piazzola esposta
Contenitore del fornitore
HSML3030L10
Codice componente base
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In magazzino: 186
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 0,86000€ 0,86
10€ 0,53600€ 5,36
100€ 0,34960€ 34,96
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,21082€ 632,46
6 000€ 0,19430€ 1 165,80
9 000€ 0,18588€ 1 672,92
15 000€ 0,17642€ 2 646,30
21 000€ 0,17233€ 3 618,93
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,86000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,04920