Name: HS8K11TB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: HS8K11TBTR-ND
Price: 1.1102 EUR
Availability: InStock

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HS8K11TB
Codice DigiKey	HS8K11TBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) HS8K11TBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) HS8K11TBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	HS8K11TB
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 7 A, 11 A 2W A montaggio superficiale HSML3030L10
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	HS8K11TB Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 11,1nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 500pF a 15V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 2W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-UDFN piazzola esposta
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore del fornitore HSML3030L10
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7 A, 11 A	Codice componente base HS8K11
RDSon (max) a Id, Vgs 17,9mohm a 7A, 10V

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,91000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,11020

HS8K11TB