Name: HP8MA2TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: HP8MA2TB1TR-ND
Price: 2.867 EUR
Availability: InStock

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HP8MA2TB1
Codice DigiKey	HP8MA2TB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) HP8MA2TB1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) HP8MA2TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	HP8MA2TB1
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V 18A 8HSOP
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 18A (Ta), 15A (Ta) 3W (Ta) A montaggio superficiale 8-HSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	HP8MA2TB1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 22nC a 10V, 25nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1100pF a 15V, 1250pF a 15V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 3W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Configurazione Canale N e P	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 18A (Ta), 15A (Ta)	Contenitore del fornitore 8-HSOP
RDSon (max) a Id, Vgs 9,6mohm a 18A, 10V, 17,9mohm a 15A, 10V	Codice componente base HP8MA2