Name: EMH10T2R
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: EMH10T2RTR-ND
Price: 0.5856 EUR
Availability: OutOfStock

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Nexperia USA Inc.

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EMH10T2R
Codice DigiKey	EMH10T2RTR-ND - Nastrato in bobina (TR) EMH10T2RCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) EMH10T2RDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	EMH10T2R
Descrizione	TRANS PREBIAS 2NPN 50V EMT6
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 2 NPN - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 250MHz 150mW A montaggio superficiale EMT6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	EMH10T2R Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari, pre-polarizzati	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 56 a 5mA, 5V
Produttore Rohm Semiconductor	Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 300mV a 500µA, 10mA
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Corrente - Interruzione collettore (max) 500nA
Stato componente Attivo	Frequenza - Transizione 250MHz
Tipo di transistor 2 NPN - pre-polarizzati (doppi)	Potenza - Max 150mW
Corrente - Collettore (Ic) max 100mA	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 50V	Contenitore/involucro SOT-563, SOT-666
Resistore - Base (R1) 22kohm	Contenitore del fornitore EMT6
Resistore - Base emettitore (R2) 22kohm	Codice componente base EMH10

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
RN1905FE,LF(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	7 450	RN1905FELF(CTCT-ND	€ 0,21000	Diretto
PEMH10,115	Nexperia USA Inc.	2 093	1727-1723-1-ND	€ 0,40000	Simile

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Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,48000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,58560

EMH10T2R