Name: EMD9T2R
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: EMD9T2RTR-ND
Price: 0.549 EUR
Availability: InStock

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EMD9T2R
Codice DigiKey	EMD9T2RTR-ND - Nastrato in bobina (TR) EMD9T2RCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) EMD9T2RDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	EMD9T2R
Descrizione	TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 250MHz 150mW A montaggio superficiale EMT6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	EMD9T2R Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari, pre-polarizzati
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo di transistor	1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi)
Corrente - Collettore (Ic) max	100mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	50V
Resistore - Base (R1)	10kohm
Resistore - Base emettitore (R2)	47kohm
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	68 a 5mA, 5V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic	300mV a 250µA, 5mA
Corrente - Interruzione collettore (max)	500nA
Frequenza - Transizione	250MHz
Potenza - Max	150mW
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	SOT-563, SOT-666
Contenitore del fornitore	EMT6
Codice componente base	EMD9T2

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Nastrato in bobina (TR)