MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 204 A (Tc) 1360W (Tc) Montaggio su telaio Modulo
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MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 204 A (Tc) 1360W (Tc) Montaggio su telaio Modulo
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM180D12P2E002

Codice DigiKey
846-BSM180D12P2E002-ND
Produttore
Codice produttore
BSM180D12P2E002
Descrizione
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 204 A (Tc) 1360W (Tc) Montaggio su telaio Modulo
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
4V a 35,2mA
Produttore
Rohm Semiconductor
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
18000pF a 10V
Confezionamento
Sfuso
Potenza - Max
1360W (Tc)
Stato componente
Attivo
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Carburo di silicio (SiC)
Tipo di montaggio
Montaggio su telaio
Configurazione
2 canali N (semiponte)
Contenitore/involucro
Modulo
Tensione drain/source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Contenitore del fornitore
Modulo
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
204 A (Tc)
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
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