BS2101F-E2 Rohm Semiconductor | Gate driver

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BS2101F-E2
Codice DigiKey	BS2101F-E2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BS2101F-E2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	BS2101F-E2
Descrizione	IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	High-side, low-side Driver gate IC Non invertente 8-SOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BS2101F-E2 Modelli

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Categoria Circuiti integrati (CI) CI di gestione dell'alimentazione (PMIC) Gate driver	Tensione logica - VIL, VIH 1V, 2,6V
Produttore Rohm Semiconductor	Corrente - Uscita di picco (source, drain) 60 mA, 130 mA
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Tipo di ingresso Non invertente
Stato componente Obsoleto	Tensione high-side - Max (bootstrap) 600 V
Programmabile da DigiKey Non verificato	Tempo di salita/discesa (tip.) 60ns, 20ns
Configurazione comandata High-side, low-side	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di canale Sincrono	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
N. di driver 2	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,173", 4,40mm)
Tipo di gate IGBT, MOSFET (canale N)	Contenitore del fornitore 8-SOP
Tensione - Alimentazione 10 ~ 18V	Codice componente base BS2101

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT)

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,29000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,57380

BS2101F-E2