Name: BD2320EFJ-LAE2
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-BD2320EFJ-LAE2TR-ND
Price: 2.6718 EUR
Availability: InStock

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BD2320EFJ-LAE2
Codice DigiKey	846-BD2320EFJ-LAE2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-BD2320EFJ-LAE2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-BD2320EFJ-LAE2DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	BD2320EFJ-LAE2
Descrizione	IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	High-side e low-side Driver gate IC Non invertente 8-HTSOP-J
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Circuiti integrati (CI) CI di gestione dell'alimentazione (PMIC) Gate driver
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Non per nuovi progetti
Programmabile da DigiKey	Non verificato
Configurazione comandata	High-side e low-side
Tipo di canale	Indipendente
N. di driver	2
Tipo di gate	MOSFET (canale N)
Tensione - Alimentazione	7,5 ~ 14,5V
Tensione logica - VIL, VIH	1,7V, 1,5V
Corrente - Uscita di picco (source, drain)	3,5 A, 4,5 A
Tipo di ingresso	Non invertente
Tensione high-side - Max (bootstrap)	100 V
Tempo di salita/discesa (tip.)	8ns, 6ns
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) piazzola esposta
Contenitore del fornitore	8-HTSOP-J
Codice componente base	BD2320

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