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Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 30 V 3 A 200MHz 500 mW A montaggio superficiale TSMT3
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2SB1708TL

Codice DigiKey
2SB1708TLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
2SB1708TL
Descrizione
TRANS PNP 30V 3A TSMT3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 30 V 3 A 200MHz 500 mW A montaggio superficiale TSMT3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
2SB1708TL Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Data di acquisto finale
Tipo di transistor
Corrente - Collettore (Ic) max
3 A
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
30 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
250mV a 30mA, 1,5A
Corrente - Interruzione collettore (max)
100 nA (ICBO)
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
270 a 200mA, 2V
Potenza - Max
500 mW
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A montaggio superficiale
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SC-96
Contenitore del fornitore
TSMT3
Codice componente base
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Data ultima possibilità d'acquisto
Data ultima possibilità d'acquisto: 30.09.2027
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
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